Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | PHT2NQ10T,135 |
---|---|
Teilstatus | Obsolete |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 2.5A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 5.1nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 160pF @ 25V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 6.25W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 430 mOhm @ 1.75A, 10V |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | SOT-223 |
Paket / Fall | TO-261-4, TO-261AA |