MHE1003NR3

RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO
MHE1003NR3 P1
MHE1003NR3 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

NXP USA Inc. ~ MHE1003NR3

номер части
MHE1003NR3
производитель
NXP USA Inc.
Описание
RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- MHE1003NR3 PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части MHE1003NR3
Статус детали Active
Тип транзистора LDMOS
частота 2.4GHz ~ 2.5GHz
Усиление 14.1dB
Напряжение - испытание 28V
Текущий рейтинг 10µA
Коэффициент шума -
Текущий - Тест 50mA
Выходная мощность 53dBm
Напряжение - Номинальное напряжение 65V
Упаковка / чехол OM-780-2
Пакет устройств поставщика OM-780-2

сопутствующие товары

Все продукты