MHE1003NR3

RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO
MHE1003NR3 P1
MHE1003NR3 P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

NXP USA Inc. ~ MHE1003NR3

Artikelnummer
MHE1003NR3
Hersteller
NXP USA Inc.
Beschreibung
RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - HF
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Produktparameter

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Artikelnummer MHE1003NR3
Teilstatus Active
Transistor-Typ LDMOS
Frequenz 2.4GHz ~ 2.5GHz
Gewinnen 14.1dB
Spannung - Test 28V
Aktuelle Bewertung 10µA
Rauschzahl -
Aktueller Test 50mA
Leistung 53dBm
Spannung - Bewertet 65V
Paket / Fall OM-780-2
Lieferantengerätepaket OM-780-2

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