| номер части | BSS84AKT,115 |
|---|---|
| Статус детали | Obsolete |
| Тип полевого транзистора | P-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 50V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 150mA (Ta) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 0.35nC @ 5V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 36pF @ 25V |
| Vgs (Макс.) | ±20V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 250mW (Ta), 770mW (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 7.5 Ohm @ 100mA, 10V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | SC-75 |
| Упаковка / чехол | SC-75, SOT-416 |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSS806NEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23 | 9000 | подробности | |
 |
BSS806NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23 | - | 21000 | подробности |
 |
BSS806NL6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23 | 0 | подробности | |
 |
BSS816NW L6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323 | 0 | подробности | |
 |
BSS816NWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323 | 0 | подробности | |
 |
BSS83,215 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 10V 50MA SOT-143B | - | 0 | подробности |
 |
BSS83,235 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 10V 50MA SOT143 | - | 0 | подробности |
 |
BSS83PE6327 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 330MA SOT-23 | 0 | подробности | |
 |
BSS83PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 0.33A SOT23 | 66000 | подробности | |
 |
BSS83PL6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 0.33A SOT23 | 0 | подробности | |
 |
BSS84 | Fairchild/Micross Components | DIE TRANS P-CH SMALL SIGNAL | - | 0 | подробности |
 |
BSS84,215 | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23 | 78000 | подробности |
