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| Numero di parte | BSS84AKT,115 |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 150mA (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.35nC @ 5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 36pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 250mW (Ta), 770mW (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5 Ohm @ 100mA, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SC-75 |
| Pacchetto / caso | SC-75, SOT-416 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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BSS806NEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23 | 9000 | Dettagli | |
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BSS806NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23 | - | 21000 | Dettagli |
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BSS806NL6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23 | 0 | Dettagli | |
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BSS816NW L6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323 | 0 | Dettagli | |
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BSS816NWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323 | 0 | Dettagli | |
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BSS83,215 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 10V 50MA SOT-143B | - | 0 | Dettagli |
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BSS83,235 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 10V 50MA SOT143 | - | 0 | Dettagli |
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BSS83PE6327 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 330MA SOT-23 | 0 | Dettagli | |
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BSS83PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 0.33A SOT23 | 66000 | Dettagli | |
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BSS83PL6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 0.33A SOT23 | 0 | Dettagli | |
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BSS84 | Fairchild/Micross Components | DIE TRANS P-CH SMALL SIGNAL | - | 0 | Dettagli |
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BSS84,215 | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23 | 78000 | Dettagli |