| номер части | BAS216,115 |
|---|---|
| Статус детали | Obsolete |
| Тип диода | Standard |
| Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.) | 75V |
| Текущий - средний отрегулированный (Io) | 250mA (DC) |
| Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если | 1.25V @ 150mA |
| скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Время обратного восстановления (trr) | 4ns |
| Текущий - обратный утечек @ Vr | 1µA @ 75V |
| Емкость @ Vr, F | 1.5pF @ 0V, 1MHz |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка / чехол | SOD-110 |
| Пакет устройств поставщика | SOD110 |
| Рабочая температура - Соединение | 150°C (Max) |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BAS20 | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GP 200V 200MA SOT23-3 | - | 0 | подробности |
 |
BAS20 RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23 | - | 1755335 | подробности |
 |
BAS20,215 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23 | 12000 | подробности | |
 |
BAS20,235 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23 | 0 | подробности | |
 |
BAS20-7 | Diodes Incorporated | DIODE GP 150V 200MA SOT23-3 | - | 0 | подробности |
 |
BAS20-7-F | Diodes Incorporated | DIODE GP 150V 200MA SOT23-3 | - | 0 | подробности |
 |
BAS20-E3-08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23 | - | 0 | подробности |
 |
BAS20-E3-18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23 | - | 0 | подробности |
 |
BAS20-G3-08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23 | - | 0 | подробности |
 |
BAS20-G3-18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23 | - | 0 | подробности |
 |
BAS20-HE3-08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23 | - | 0 | подробности |
 |
BAS20-HE3-18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23 | - | 0 | подробности |
