이미지는 참고 용입니다.
제품 세부 정보는 제품 사양을 참조하십시오.
| 부품 번호 | BAS216,115 |
|---|---|
| 부품 상태 | Obsolete |
| 다이오드 유형 | Standard |
| 전압 - 직류 역전 (Vr) (최대) | 75V |
| 전류 - 평균 정류 (Io) | 250mA (DC) |
| 전압 - 순방향 (Vf) (최대) @ If | 1.25V @ 150mA |
| 속도 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 역 회복 시간 (trr) | 4ns |
| 전류 - Vr의 역 누설 | 1µA @ 75V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | 1.5pF @ 0V, 1MHz |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | SOD-110 |
| 공급 업체 장치 패키지 | SOD110 |
| 작동 온도 - 정션 | 150°C (Max) |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 재고 | 전망 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BAS20 | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GP 200V 200MA SOT23-3 | - | 0 | 세부 |
 |
BAS20 RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23 | - | 1755335 | 세부 |
 |
BAS20,215 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23 | 12000 | 세부 | |
 |
BAS20,235 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23 | 0 | 세부 | |
 |
BAS20-7 | Diodes Incorporated | DIODE GP 150V 200MA SOT23-3 | - | 0 | 세부 |
 |
BAS20-7-F | Diodes Incorporated | DIODE GP 150V 200MA SOT23-3 | - | 0 | 세부 |
 |
BAS20-E3-08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23 | - | 0 | 세부 |
 |
BAS20-E3-18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23 | - | 0 | 세부 |
 |
BAS20-G3-08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23 | - | 0 | 세부 |
 |
BAS20-G3-18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23 | - | 0 | 세부 |
 |
BAS20-HE3-08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23 | - | 0 | 세부 |
 |
BAS20-HE3-18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23 | - | 0 | 세부 |