A2G22S160-01SR3

IC TRANS RF LDMOS
A2G22S160-01SR3 P1
A2G22S160-01SR3 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

NXP USA Inc. ~ A2G22S160-01SR3

номер части
A2G22S160-01SR3
производитель
NXP USA Inc.
Описание
IC TRANS RF LDMOS
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
A2G22S160-01SR3.pdf A2G22S160-01SR3 PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части A2G22S160-01SR3
Статус детали Active
Тип транзистора -
частота 2.11GHz
Усиление 19.6dB
Напряжение - испытание 48V
Текущий рейтинг -
Коэффициент шума -
Текущий - Тест 150mA
Выходная мощность 32W
Напряжение - Номинальное напряжение 125V
Упаковка / чехол NI-400S-240
Пакет устройств поставщика NI-400S-240

сопутствующие товары

Все продукты