A2G22S160-01SR3

IC TRANS RF LDMOS
A2G22S160-01SR3 P1
A2G22S160-01SR3 P1
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NXP USA Inc. ~ A2G22S160-01SR3

Numéro d'article
A2G22S160-01SR3
Fabricant
NXP USA Inc.
La description
IC TRANS RF LDMOS
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - RF
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Numéro d'article A2G22S160-01SR3
État de la pièce Active
Type de transistor -
La fréquence 2.11GHz
Gain 19.6dB
Tension - Test 48V
Note actuelle -
Figure de bruit -
Actuel - Test 150mA
Puissance - Sortie 32W
Tension - Rated 125V
Paquet / cas NI-400S-240
Package de périphérique fournisseur NI-400S-240

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