| номер части | BSP250,135 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | P-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 30V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 3A (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1mA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 250pF @ 20V |
| Vgs (Макс.) | ±20V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.65W (Ta) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 250 mOhm @ 1A, 10V |
| Рабочая Температура | 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | SOT-223 |
| Упаковка / чехол | TO-261-4, TO-261AA |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSP220,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 200V 0.225A SOT223 | 4000 | подробности | |
 |
BSP225,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 250V 0.225A SOT223 | 3000 | подробности | |
 |
BSP230,135 | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 300V 0.21A SOT223 | 4000 | подробности | |
 |
BSP250,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 30V 3A SOT223 | 0 | подробности | |
 |
BSP250,135 | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 30V 3A SOT223 | 0 | подробности | |
 |
BSP254A,126 | NXP USA Inc. | MOSFET P-CH 250V 0.2A SOT54 | 0 | подробности | |
 |
BSP295E6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223 | - | 0 | подробности |
 |
BSP295E6327T | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223 | - | 0 | подробности |
 |
BSP295H6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223 | 14000 | подробности | |
 |
BSP295L6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT-223 | - | 0 | подробности |
 |
BSP296 E6433 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223 | 0 | подробности | |
 |
BSP296E6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223 | 0 | подробности |
