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| Numero di parte | BSP250,135 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 250pF @ 20V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.65W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250 mOhm @ 1A, 10V |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-223 |
| Pacchetto / caso | TO-261-4, TO-261AA |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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BSP220,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 200V 0.225A SOT223 | 4000 | Dettagli | |
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BSP225,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 250V 0.225A SOT223 | 3000 | Dettagli | |
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BSP230,135 | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 300V 0.21A SOT223 | 4000 | Dettagli | |
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BSP250,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 30V 3A SOT223 | 0 | Dettagli | |
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BSP250,135 | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 30V 3A SOT223 | 0 | Dettagli | |
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BSP254A,126 | NXP USA Inc. | MOSFET P-CH 250V 0.2A SOT54 | 0 | Dettagli | |
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BSP295E6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223 | - | 0 | Dettagli |
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BSP295E6327T | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223 | - | 0 | Dettagli |
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BSP295H6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223 | 14000 | Dettagli | |
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BSP295L6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT-223 | - | 0 | Dettagli |
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BSP296 E6433 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223 | 0 | Dettagli | |
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BSP296E6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223 | 0 | Dettagli |