MS2200

TRANS RF BIPO 1167W 43.2A MS102
MS2200 P1
MS2200 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Microsemi Corporation ~ MS2200

номер части
MS2200
производитель
Microsemi Corporation
Описание
TRANS RF BIPO 1167W 43.2A MS102
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- MS2200 PDF online browsing
семья
Транзисторы - биполярные (BJT) - RF
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части MS2200
Статус детали Active
Тип транзистора NPN
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 65V
Частота - переход 400MHz ~ 500MHz
Шум (дБ Тип @ f) -
Усиление 9.7dB
Мощность - макс. 1167W
Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce 20 @ 5A, 5V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 43.2A
Рабочая Температура 200°C (TJ)
Тип монтажа Chassis Mount
Упаковка / чехол M102
Пакет устройств поставщика M102

сопутствующие товары

Все продукты