MS2200

TRANS RF BIPO 1167W 43.2A MS102
MS2200 P1
MS2200 P1
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Microsemi Corporation ~ MS2200

Numéro d'article
MS2200
Fabricant
Microsemi Corporation
La description
TRANS RF BIPO 1167W 43.2A MS102
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- MS2200 PDF online browsing
Famille
Transistors - Bipolaires (BJT) - RF
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Numéro d'article MS2200
État de la pièce Active
Type de transistor NPN
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 65V
Fréquence - Transition 400MHz ~ 500MHz
Figure de bruit (dB Typ @ f) -
Gain 9.7dB
Puissance - Max 1167W
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 5A, 5V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 43.2A
Température de fonctionnement 200°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas M102
Package de périphérique fournisseur M102

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