APTM120SK56T1G

MOSFET N-CH 1200V 18A SP1
APTM120SK56T1G P1
APTM120SK56T1G P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Microsemi Corporation ~ APTM120SK56T1G

номер части
APTM120SK56T1G
производитель
Microsemi Corporation
Описание
MOSFET N-CH 1200V 18A SP1
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
APTM120SK56T1G.pdf APTM120SK56T1G PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части APTM120SK56T1G
Статус детали Obsolete
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 1200V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 18A
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 300nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 7736pF @ 25V
Vgs (Макс.) ±30V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 390W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 672 mOhm @ 14A, 10V
Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Chassis Mount
Пакет устройств поставщика SP1
Упаковка / чехол SP1

сопутствующие товары

Все продукты