APTM100A13SCG

MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
APTM100A13SCG P1
APTM100A13SCG P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Microsemi Corporation ~ APTM100A13SCG

номер части
APTM100A13SCG
производитель
Microsemi Corporation
Описание
MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- APTM100A13SCG PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части APTM100A13SCG
Статус детали Active
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Half Bridge)
Функция FET Standard
Слив к источнику напряжения (Vdss) 1000V (1kV)
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 65A
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 156 mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 6mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 562nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 15200pF @ 25V
Мощность - макс. 1250W
Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Chassis Mount
Упаковка / чехол SP6
Пакет устройств поставщика SP6

сопутствующие товары

Все продукты