Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Microsemi Corporation ~ APTGT35A120T1G

номер части: APTGT35A120T1G
производитель: Microsemi Corporation
Описание: IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP1
Бессвинцовый статус / RoHS Статус: Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация: APTGT35A120T1G.pdf APTGT35A120T1G PDF online browsing
семья: Транзисторы - IGBT - Модули

номер части	APTGT35A120T1G
Статус детали	Active
Тип IGBT	Trench Field Stop
конфигурация	Half Bridge
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	55A
Мощность - макс.	208W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 35A
Ток - отсечка коллектора (макс.)	250µA
Входная емкость (Cies) @ Vce	2.5nF @ 25V
вход	Standard
Термистор NTC	Yes
Рабочая Температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Chassis Mount
Упаковка / чехол	SP1
Пакет устройств поставщика	SP1

номер части	Производители	Описание	PDF	В наличии	Посмотреть
APTGT100A1202G	Microsemi Corporation	MOD IGBT 1200V 140A SP2	-	0	подробности
APTGT100A120D1G	Microsemi Corporation	IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1	-	0	подробности
APTGT100A120T3AG	Microsemi Corporation	MOD IGBT 1200V 140A SP3	-	0	подробности
APTGT100A120TG	Microsemi Corporation	IGBT MODULE TRENCH PH LEG SP4	-	0	подробности
APTGT100A170D1G	Microsemi Corporation	IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1		0	подробности
APTGT100A170TG	Microsemi Corporation	POWER MOD IGBT TRENCH PH LEG SP4	-	0	подробности
APTGT100A602G	Microsemi Corporation	MOD IGBT 600V 150A SP2	-	0	подробности
APTGT100A60T1G	Microsemi Corporation	IGBT PHASE LEG 600V 150A SP1	-	0	подробности
APTGT100A60TG	Microsemi Corporation	IGBT MODULE TRENCH PH LEG SP4		0	подробности
APTGT100BB60T3G	Microsemi Corporation	POWER MOD IGBT3 BOOST BUCK SP3	-	7	подробности
APTGT100DA120D1G	Microsemi Corporation	IGBT 1200V 150A 520W D1		0	подробности
APTGT100DA120T1G	Microsemi Corporation	IGBT 1200V 140A 480W SP1	-	0	подробности