| номер части | APT75GT120JRDQ3 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип IGBT | NPT |
| конфигурация | Single |
| Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) | 1200V |
| Ток - коллектор (Ic) (макс.) | 97A |
| Мощность - макс. | 480W |
| Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic | 3.7V @ 15V, 75A |
| Ток - отсечка коллектора (макс.) | 200µA |
| Входная емкость (Cies) @ Vce | 5.1nF @ 25V |
| вход | Standard |
| Термистор NTC | No |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Chassis Mount |
| Упаковка / чехол | SOT-227-4, miniBLOC |
| Пакет устройств поставщика | ISOTOP® |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
APT75DF170HJ | Microsemi Corporation | MOD DIODE 1700V SOT-227 | - | 0 | подробности |
 |
APT75DL120HJ | Microsemi Corporation | MOD DIODE 1200V SOT-227 | - | 0 | подробности |
 |
APT75DL60HJ | Microsemi Corporation | MOD DIODE 600V SOT-227 | 0 | подробности | |
 |
APT75DQ100BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 75A TO247 | - | 0 | подробности |
 |
APT75DQ120BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 75A TO247 | - | 2948 | подробности |
 |
APT75DQ60BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 75A TO247 | - | 0 | подробности |
 |
APT75F50B2 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 75A TO-247 | - | 20 | подробности |
 |
APT75F50L | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 75A TO-264 | - | 25 | подробности |
 |
APT75GN120B2G | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 200A 833W TMAX | - | 0 | подробности |
 |
APT75GN120J | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 124A 379W SOT227 | 0 | подробности | |
 |
APT75GN120JDQ3 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 124A 379W SOT227 | - | 66 | подробности |
 |
APT75GN120JDQ3G | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 124A 379W SOT227 | - | 0 | подробности |
