Le immagini sono solo di riferimento.
Vedi le Specifiche del prodotto per i dettagli del prodotto.
| Numero di parte | APT75GT120JRDQ3 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo IGBT | NPT |
| Configurazione | Single |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 97A |
| Potenza - Max | 480W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.7V @ 15V, 75A |
| Corrente - Limite del collettore (max) | 200µA |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 5.1nF @ 25V |
| Ingresso | Standard |
| Termistore NTC | No |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
| Pacchetto dispositivo fornitore | ISOTOP® |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
APT75DF170HJ | Microsemi Corporation | MOD DIODE 1700V SOT-227 | - | 0 | Dettagli |
 |
APT75DL120HJ | Microsemi Corporation | MOD DIODE 1200V SOT-227 | - | 0 | Dettagli |
 |
APT75DL60HJ | Microsemi Corporation | MOD DIODE 600V SOT-227 | 0 | Dettagli | |
 |
APT75DQ100BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 75A TO247 | - | 0 | Dettagli |
 |
APT75DQ120BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 75A TO247 | - | 2948 | Dettagli |
 |
APT75DQ60BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 75A TO247 | - | 0 | Dettagli |
 |
APT75F50B2 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 75A TO-247 | - | 20 | Dettagli |
 |
APT75F50L | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 75A TO-264 | - | 25 | Dettagli |
 |
APT75GN120B2G | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 200A 833W TMAX | - | 0 | Dettagli |
 |
APT75GN120J | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 124A 379W SOT227 | 0 | Dettagli | |
 |
APT75GN120JDQ3 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 124A 379W SOT227 | - | 66 | Dettagli |
 |
APT75GN120JDQ3G | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 124A 379W SOT227 | - | 0 | Dettagli |