| номер части | APT60GA60JD60 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип IGBT | PT |
| конфигурация | Single |
| Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) | 600V |
| Ток - коллектор (Ic) (макс.) | 112A |
| Мощность - макс. | 356W |
| Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 62A |
| Ток - отсечка коллектора (макс.) | 275µA |
| Входная емкость (Cies) @ Vce | 8.01nF @ 25V |
| вход | Standard |
| Термистор NTC | No |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Chassis Mount |
| Упаковка / чехол | SOT-227-4, miniBLOC |
| Пакет устройств поставщика | ISOTOP® |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
APT6010B2LLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX | - | 4 | подробности |
 |
APT6013JLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 39A SOT-227 | - | 2 | подробности |
 |
APT6013LLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 43A TO-264 | - | 3 | подробности |
 |
APT6017B2LLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 35A T-MAX | - | 15579 | подробности |
 |
APT6017LFLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 35A TO-264 | - | 15 | подробности |
 |
APT6017LLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 35A TO-264 | - | 25 | подробности |
 |
APT6030BN | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 23A TO247AD | 0 | подробности | |
|
APT6040BN | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD | 0 | подробности | |
|
APT6040BNG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD | 0 | подробности | |
 |
APT60D100BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 60A TO247 | - | 375 | подробности |
 |
APT60D100LCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 60A TO264 | - | 0 | подробности |
 |
APT60D100SG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 60A D3 | - | 0 | подробности |
