| номер части | 1N6642USE3 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип диода | Standard |
| Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.) | 75V |
| Текущий - средний отрегулированный (Io) | 300mA |
| Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если | 1.2V @ 100mA |
| скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Время обратного восстановления (trr) | 5ns |
| Текущий - обратный утечек @ Vr | 500nA @ 75V |
| Емкость @ Vr, F | 5pF @ 0V, 1MHz |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка / чехол | SQ-MELF, B |
| Пакет устройств поставщика | B, SQ-MELF |
| Рабочая температура - Соединение | -65°C ~ 175°C |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
1N6620 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 220V 1.2A AXIAL | - | 0 | подробности |
|
1N6620US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 220V 1.2A A-MELF | - | 0 | подробности |
 |
1N6621 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 440V 1.2A AXIAL | - | 0 | подробности |
|
1N6621US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 440V 1.2A A-MELF | - | 425 | подробности |
|
1N6621US/TR | Microsemi Corporation | UFRFRR | - | 26994 | подробности |
 |
1N6622 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 1.2A AXIAL | - | 159 | подробности |
|
1N6622US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 660V 1.2A A-MELF | - | 220 | подробности |
 |
1N6623 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 880V 1A AXIAL | - | 0 | подробности |
|
1N6623US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 880V 1A A-MELF | - | 0 | подробности |
|
1N6624 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 990V 1A A-PAK | - | 0 | подробности |
|
1N6624US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 990V 1A A-MELF | - | 0 | подробности |
 |
1N6625 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL | - | 0 | подробности |
