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Microsemi Corporation ~ 1N6642USE3

Número de pieza	1N6642USE3
Estado de la pieza	Active
Tipo de diodo	Standard
Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max)	75V
Corriente - promedio rectificado (Io)	300mA
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si	1.2V @ 100mA
Velocidad	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr)	5ns
Current - Reverse Leakage @ Vr	500nA @ 75V
Capacitancia @ Vr, F	5pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	SQ-MELF, B
Paquete de dispositivo del proveedor	B, SQ-MELF
Temperatura de funcionamiento - unión	-65°C ~ 175°C

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	PDF	En stock	Ver
1N6620	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 220V 1.2A AXIAL	-	0	Detalles
1N6620US	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 220V 1.2A A-MELF	-	0	Detalles
1N6621	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 440V 1.2A AXIAL	-	0	Detalles
1N6621US	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 440V 1.2A A-MELF	-	425	Detalles
1N6621US/TR	Microsemi Corporation	UFRFRR	-	26994	Detalles
1N6622	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 600V 1.2A AXIAL	-	159	Detalles
1N6622US	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 660V 1.2A A-MELF	-	220	Detalles
1N6623	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 880V 1A AXIAL	-	0	Detalles
1N6623US	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 880V 1A A-MELF	-	0	Detalles
1N6624	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 990V 1A A-PAK	-	0	Detalles
1N6624US	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 990V 1A A-MELF	-	0	Detalles
1N6625	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL	-	0	Detalles