1N3595US

DIODE GEN PURP 4A B-MELF
1N3595US P1
1N3595US P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Microsemi Corporation ~ 1N3595US

номер части
1N3595US
производитель
Microsemi Corporation
Описание
DIODE GEN PURP 4A B-MELF
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- 1N3595US PDF online browsing
семья
Диоды - выпрямители - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части 1N3595US
Статус детали Active
Тип диода Standard
Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.) -
Текущий - средний отрегулированный (Io) 4A (DC)
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если 1V @ 200mA
скорость Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Время обратного восстановления (trr) 3µs
Текущий - обратный утечек @ Vr 1nA @ 125V
Емкость @ Vr, F -
Тип монтажа Surface Mount
Упаковка / чехол SQ-MELF, B
Пакет устройств поставщика B, SQ-MELF
Рабочая температура - Соединение -65°C ~ 150°C

сопутствующие товары

Все продукты