1N3595US

DIODE GEN PURP 4A B-MELF
1N3595US P1
1N3595US P1
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Microsemi Corporation ~ 1N3595US

Artikelnummer
1N3595US
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
DIODE GEN PURP 4A B-MELF
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Dioden - Gleichrichter - Einzeln
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Produktparameter

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Artikelnummer 1N3595US
Teilstatus Active
Dioden-Typ Standard
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) -
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) 4A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1V @ 200mA
Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 3µs
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr 1nA @ 125V
Kapazität @ Vr, F -
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SQ-MELF, B
Lieferantengerätepaket B, SQ-MELF
Betriebstemperatur - Kreuzung -65°C ~ 150°C

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