EDB4432BBBJ-1DAUT-F-D

IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ
EDB4432BBBJ-1DAUT-F-D P1
EDB4432BBBJ-1DAUT-F-D P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Micron Technology Inc. ~ EDB4432BBBJ-1DAUT-F-D

номер части
EDB4432BBBJ-1DAUT-F-D
производитель
Micron Technology Inc.
Описание
IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- EDB4432BBBJ-1DAUT-F-D PDF online browsing
семья
Память
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части EDB4432BBBJ-1DAUT-F-D
Статус детали Active
Тип памяти Volatile
Формат памяти DRAM
Технологии SDRAM - Mobile LPDDR2
Размер памяти 4Gb (128M x 32)
Частота часов 533MHz
Время цикла записи - слово, страница -
Время доступа -
Интерфейс памяти Parallel
Напряжение - Поставка 1.14V ~ 1.95V
Рабочая Температура -40°C ~ 125°C (TC)
Тип монтажа -
Упаковка / чехол -
Пакет устройств поставщика -

сопутствующие товары

Все продукты