EDB4432BBBJ-1DAUT-F-D

IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ
EDB4432BBBJ-1DAUT-F-D P1
EDB4432BBBJ-1DAUT-F-D P1
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Micron Technology Inc. ~ EDB4432BBBJ-1DAUT-F-D

Número de pieza
EDB4432BBBJ-1DAUT-F-D
Fabricante
Micron Technology Inc.
Descripción
IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Memoria
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Número de pieza EDB4432BBBJ-1DAUT-F-D
Estado de la pieza Active
Tipo de memoria Volatile
Formato de memoria DRAM
Tecnología SDRAM - Mobile LPDDR2
Tamaño de la memoria 4Gb (128M x 32)
Frecuencia de reloj 533MHz
Escribir tiempo de ciclo - Palabra, página -
Tiempo de acceso -
interfaz de memoria Parallel
Suministro de voltaje 1.14V ~ 1.95V
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 125°C (TC)
Tipo de montaje -
Paquete / caja -
Paquete de dispositivo del proveedor -

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