| номер части | SIDC30D120H8X1SA4 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип диода | Standard |
| Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.) | 1200V |
| Текущий - средний отрегулированный (Io) | 50A (DC) |
| Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если | 1.97V @ 50A |
| скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
| Текущий - обратный утечек @ Vr | 27µA @ 1200V |
| Емкость @ Vr, F | - |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка / чехол | Die |
| Пакет устройств поставщика | Sawn on foil |
| Рабочая температура - Соединение | -40°C ~ 175°C |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
SIDC30D120E6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 35A WAFER | - | 0 | подробности |
|
SIDC30D120E6X1SA2 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 35A WAFER | - | 10322 | подробности |
|
SIDC30D120F6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 35A WAFER | - | 0 | подробности |
|
SIDC30D120F6X1SA2 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 35A WAFER | - | 10322 | подробности |
|
SIDC30D120H6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 50A WAFER | 0 | подробности | |
|
SIDC30D120H6X1SA4 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 50A WAFER | - | 10319 | подробности |
|
SIDC30D120H8X1SA4 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 50A WAFER | - | 12888 | подробности |
|
SIDC30D60E6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 75A WAFER | - | 0 | подробности |
|
SIDC30D60E6X1SA1 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 75A WAFER | - | 10315 | подробности |
