SIDC30D120H8X1SA4

DIODE GEN PURP 1.2KV 50A WAFER
SIDC30D120H8X1SA4 P1
SIDC30D120H8X1SA4 P1
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Infineon Technologies ~ SIDC30D120H8X1SA4

Número de pieza
SIDC30D120H8X1SA4
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
DIODE GEN PURP 1.2KV 50A WAFER
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- SIDC30D120H8X1SA4 PDF online browsing
Familia
Diodos - Rectificadores
- Simple
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Número de pieza SIDC30D120H8X1SA4
Estado de la pieza Active
Tipo de diodo Standard
Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) 1200V
Corriente - promedio rectificado (Io) 50A (DC)
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si 1.97V @ 50A
Velocidad Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr) -
Current - Reverse Leakage @ Vr 27µA @ 1200V
Capacitancia @ Vr, F -
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja Die
Paquete de dispositivo del proveedor Sawn on foil
Temperatura de funcionamiento - unión -40°C ~ 175°C

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