IPU60R1K5CEAKMA1

MOSFET N-CH 600V TO-251-3
IPU60R1K5CEAKMA1 P1
IPU60R1K5CEAKMA1 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ IPU60R1K5CEAKMA1

номер части
IPU60R1K5CEAKMA1
производитель
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 600V TO-251-3
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
IPU60R1K5CEAKMA1.pdf IPU60R1K5CEAKMA1 PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части IPU60R1K5CEAKMA1
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 600V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 3.1A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) -
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 90µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 9.4nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 200pF @ 100V
Vgs (Макс.) -
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) -
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 1.5 Ohm @ 1.1A, 10V
Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Through Hole
Пакет устройств поставщика PG-TO251-3
Упаковка / чехол TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

сопутствующие товары

Все продукты