IPU60R1K4C6BKMA1

MOSFET NCH 600V 3.2A TO251
IPU60R1K4C6BKMA1 P1
IPU60R1K4C6BKMA1 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ IPU60R1K4C6BKMA1

номер части
IPU60R1K4C6BKMA1
производитель
Infineon Technologies
Описание
MOSFET NCH 600V 3.2A TO251
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
IPU60R1K4C6BKMA1.pdf IPU60R1K4C6BKMA1 PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части IPU60R1K4C6BKMA1
Статус детали Discontinued at Digi-Key
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 600V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 3.2A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 90µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 9.4nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 200pF @ 100V
Vgs (Макс.) ±20V
Функция FET Super Junction
Рассеиваемая мощность (макс.) 28.4W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 1.4 Ohm @ 1.1A, 10V
Рабочая Температура -55°C ~ 155°C (TJ)
Тип монтажа Through Hole
Пакет устройств поставщика PG-TO251
Упаковка / чехол TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

сопутствующие товары

Все продукты