номер части | IPI200N25N3GAKSA1 |
---|---|
Статус детали | Active |
Тип полевого транзистора | N-Channel |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Слив к источнику напряжения (Vdss) | 250V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 64A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 64A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 270µA |
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 86nC @ 10V |
Vgs (Макс.) | ±20V |
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 7100pF @ 100V |
Функция FET | - |
Рассеиваемая мощность (макс.) | 300W (Tc) |
Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Тип монтажа | Through Hole |
Пакет устройств поставщика | PG-TO262-3 |
Упаковка / чехол | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |