| номер части | IPI200N25N3 G |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 250V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 64A (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 270µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 86nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 7100pF @ 100V |
| Vgs (Макс.) | ±20V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 300W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 64A, 10V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Пакет устройств поставщика | PG-TO262-3 |
| Упаковка / чехол | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPI200N15N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 50A TO262-3 | - | 0 | подробности |
 |
IPI200N25N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 250V 64A TO262-3 | - | 0 | подробности |
 |
IPI200N25N3GAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 250V 64A TO262-3 | - | 14224 | подробности |
