Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ IPD70R950CEAUMA1

номер части: IPD70R950CEAUMA1
производитель: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 700V 7.4A TO252-3
Бессвинцовый статус / RoHS Статус: Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация: IPD70R950CEAUMA1.pdf IPD70R950CEAUMA1 PDF online browsing
семья: Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные

номер части	IPD70R950CEAUMA1
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	700V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	7.4A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 150µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	15.3nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	328pF @ 100V
Vgs (Макс.)	±20V
Функция FET	Super Junction
Рассеиваемая мощность (макс.)	68W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	950 mOhm @ 1.5A, 10V
Рабочая Температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TO252-3
Упаковка / чехол	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

номер части	Производители	Описание	В наличии	Посмотреть
IPD70R1K4CEAUMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 700V 5.4A TO252-3	0	подробности
IPD70R1K4P7SAUMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 700V 8.2A DPAK	0	подробности
IPD70R2K0CEAUMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH TO252-3	0	подробности
IPD70R360P7SAUMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 700V 34A DPAK	0	подробности
IPD70R600CEAUMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH TO252-3	0	подробности
IPD70R600P7SAUMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 700V 20.5A DPAK	0	подробности
IPD70R900P7SAUMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 700V 12.8A DPAK	2500	подробности
IPD70R950CEAUMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 700V 7.4A TO252-3	0	подробности