IPD70R950CEAUMA1

MOSFET N-CH 700V 7.4A TO252-3
IPD70R950CEAUMA1 P1
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Infineon Technologies ~ IPD70R950CEAUMA1

Numéro d'article
IPD70R950CEAUMA1
Fabricant
Infineon Technologies
La description
MOSFET N-CH 700V 7.4A TO252-3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article IPD70R950CEAUMA1
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 700V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 7.4A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 150µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 15.3nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 328pF @ 100V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique Super Junction
Dissipation de puissance (Max) 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 950 mOhm @ 1.5A, 10V
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur PG-TO252-3
Paquet / cas TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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