Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ IPD70P04P409ATMA1

номер части: IPD70P04P409ATMA1
производитель: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH TO252-3
Бессвинцовый статус / RoHS Статус: Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация: IPD70P04P409ATMA1.pdf IPD70P04P409ATMA1 PDF online browsing
семья: Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные

номер части	IPD70P04P409ATMA1
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	P-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	40V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	73A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 120µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	70nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	4810pF @ 25V
Vgs (Макс.)	±20V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	75W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	8.9 mOhm @ 70A, 10V
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TO252-3-313
Упаковка / чехол	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Образ	номер части	Производители	Описание	PDF	В наличии	Посмотреть
	IPD70P04P409ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET P-CH TO252-3		0	подробности
	IPD70P04P4L08ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET P-CH TO252-3		0	подробности