номер части | IPB08CNE8N G |
---|---|
Статус детали | Obsolete |
Тип полевого транзистора | N-Channel |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Слив к источнику напряжения (Vdss) | 85V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 95A (Tc) |
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 130µA |
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 99nC @ 10V |
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 6690pF @ 40V |
Vgs (Макс.) | ±20V |
Функция FET | - |
Рассеиваемая мощность (макс.) | 167W (Tc) |
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 8.2 mOhm @ 95A, 10V |
Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Тип монтажа | Surface Mount |
Пакет устройств поставщика | PG-TO263-2 |
Упаковка / чехол | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |