номер части | IPB009N03LGATMA1 |
---|---|
Статус детали | Active |
Тип полевого транзистора | N-Channel |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Слив к источнику напряжения (Vdss) | 30V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 180A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 0.95 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 227nC @ 10V |
Vgs (Макс.) | ±20V |
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 25000pF @ 15V |
Функция FET | - |
Рассеиваемая мощность (макс.) | 250W (Tc) |
Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Тип монтажа | Surface Mount |
Пакет устройств поставщика | PG-TO263-7-3 |
Упаковка / чехол | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |