номер части | IPB081N06L3 G |
---|---|
Статус детали | Active |
Тип полевого транзистора | N-Channel |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Слив к источнику напряжения (Vdss) | 60V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 50A (Tc) |
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 4.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 34µA |
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 29nC @ 4.5V |
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 4900pF @ 30V |
Vgs (Макс.) | ±20V |
Функция FET | - |
Рассеиваемая мощность (макс.) | 79W (Tc) |
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 8.1 mOhm @ 50A, 10V |
Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Тип монтажа | Surface Mount |
Пакет устройств поставщика | PG-TO263-2 |
Упаковка / чехол | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |