IPB05N03LAT

MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK
IPB05N03LAT P1
IPB05N03LAT P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ IPB05N03LAT

номер части
IPB05N03LAT
производитель
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
IPB05N03LAT.pdf IPB05N03LAT PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части IPB05N03LAT
Статус детали Obsolete
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 25V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 80A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 50µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 25nC @ 5V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 3110pF @ 15V
Vgs (Макс.) ±20V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 94W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 4.6 mOhm @ 55A, 10V
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика PG-TO263-3-2
Упаковка / чехол TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

сопутствующие товары

Все продукты