Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ IPA50R299CPXKSA1

номер части	IPA50R299CPXKSA1
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	550V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	12A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 440µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	31nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	1190pF @ 100V
Vgs (Макс.)	±20V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	104W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	299 mOhm @ 6.6A, 10V
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Пакет устройств поставщика	PG-TO220-FP
Упаковка / чехол	TO-220-3 Full Pack

номер части	Производители	Описание	PDF	В наличии	Посмотреть
IPA50R140CP	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 500V 23A TO220-3	-	606	подробности
IPA50R140CPXKSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 500V 23A TO220-3	-	12520	подробности
IPA50R190CE	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220FP	-	0	подробности
IPA50R190CEXKSA2	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220FP		0	подробности
IPA50R199CP	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 500V 17A TO220-3	-	401	подробности
IPA50R199CPXKSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 500V 17A TO220-3	-	32643	подробности
IPA50R250CP	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3	-	514	подробности
IPA50R250CPXKSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3	-	21522	подробности
IPA50R280CE	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO220FP		0	подробности
IPA50R280CEXKSA2	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 500V 7.5A TO-220FP		920	подробности
IPA50R299CPXKSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 550V 12A TO220-3	-	0	подробности
IPA50R350CPXKSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 500V 10A TO220-3	-	444	подробности