IPA50R190CE

MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220FP
IPA50R190CE P1
IPA50R190CE P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ IPA50R190CE

номер части
IPA50R190CE
производитель
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220FP
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- IPA50R190CE PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части IPA50R190CE
Статус детали Obsolete
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 500V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 18.5A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 13V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 510µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 47.2nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 1137pF @ 100V
Vgs (Макс.) ±20V
Функция FET Super Junction
Рассеиваемая мощность (макс.) 32W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 190 mOhm @ 6.2A, 13V
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Through Hole
Пакет устройств поставщика PG-TO-220-FP
Упаковка / чехол TO-220-3 Full Pack

сопутствующие товары

Все продукты