FF800R17KE3NOSA1

IGBT MODULE VCES 1200V 800A
FF800R17KE3NOSA1 P1
FF800R17KE3NOSA1 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ FF800R17KE3NOSA1

номер части
FF800R17KE3NOSA1
производитель
Infineon Technologies
Описание
IGBT MODULE VCES 1200V 800A
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- FF800R17KE3NOSA1 PDF online browsing
семья
Транзисторы - IGBT - Модули
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части FF800R17KE3NOSA1
Статус детали Active
Тип IGBT -
конфигурация 2 Independent
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 1700V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) -
Мощность - макс. 4450W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 800A
Ток - отсечка коллектора (макс.) 5mA
Входная емкость (Cies) @ Vce 72nF @ 25V
вход Standard
Термистор NTC No
Рабочая Температура -40°C ~ 125°C
Тип монтажа Chassis Mount
Упаковка / чехол Module
Пакет устройств поставщика Module

сопутствующие товары

Все продукты