FF800R17KE3NOSA1

IGBT MODULE VCES 1200V 800A
FF800R17KE3NOSA1 P1
FF800R17KE3NOSA1 P1
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Infineon Technologies ~ FF800R17KE3NOSA1

Número de pieza
FF800R17KE3NOSA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
IGBT MODULE VCES 1200V 800A
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - IGBT - Módulos
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Número de pieza FF800R17KE3NOSA1
Estado de la pieza Active
Tipo de IGBT -
Configuración 2 Independent
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 1700V
Current - Collector (Ic) (Max) -
Potencia - Max 4450W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 800A
Corriente - corte de colector (máximo) 5mA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce 72nF @ 25V
Entrada Standard
Termistor NTC No
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 125°C
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete / caja Module
Paquete de dispositivo del proveedor Module

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