BSD816SNH6327XTSA1

MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363
BSD816SNH6327XTSA1 P1
BSD816SNH6327XTSA1 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ BSD816SNH6327XTSA1

номер части
BSD816SNH6327XTSA1
производитель
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
BSD816SNH6327XTSA1.pdf BSD816SNH6327XTSA1 PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части BSD816SNH6327XTSA1
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 20V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 1.4A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 1.8V, 2.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 0.95V @ 3.7µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 0.6nC @ 2.5V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 180pF @ 10V
Vgs (Макс.) ±8V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 500mW (Ta)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 160 mOhm @ 1.4A, 2.5V
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика PG-SOT363-6
Упаковка / чехол 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

сопутствующие товары

Все продукты