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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | BSD816SNH6327XTSA1 |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 1.4A (Ta) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 1.8V, 2.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 0.95V @ 3.7µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 0.6nC @ 2.5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 180pF @ 10V |
Vgs (Max) | ±8V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 500mW (Ta) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 160 mOhm @ 1.4A, 2.5V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | PG-SOT363-6 |
Paket / Fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |