Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Global Power Technologies Group ~ GSID150A120S6A4

номер части: GSID150A120S6A4
производитель: Global Power Technologies Group
Описание: SILICON IGBT MODULES
Бессвинцовый статус / RoHS Статус: Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация: GSID150A120S6A4.pdf GSID150A120S6A4 PDF online browsing
семья: Транзисторы - IGBT - Модули

номер части	GSID150A120S6A4
Статус детали	Active
Тип IGBT	-
конфигурация	Single
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	275A
Мощность - макс.	1035W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic	1.9V @ 15V, 150A
Ток - отсечка коллектора (макс.)	1mA
Входная емкость (Cies) @ Vce	20.2nF @ 25V
вход	Standard
Термистор NTC	Yes
Рабочая Температура	-40°C ~ 150°C
Тип монтажа	Chassis Mount
Упаковка / чехол	Module
Пакет устройств поставщика	Module

номер части	Производители	Описание	В наличии	Посмотреть
GSID100A120S5C1	Global Power Technologies Group	IGBT MODULE 1200V 170A	7	подробности
GSID100A120T2C1	Global Power Technologies Group	SILICON IGBT MODULES	0	подробности
GSID100A120T2C1A	Global Power Technologies Group	SILICON IGBT MODULES	0	подробности
GSID100A120T2P2	Global Power Technologies Group	SILICON IGBT MODULES	0	подробности
GSID150A120S3B1	Global Power Technologies Group	SILICON IGBT MODULES	0	подробности
GSID150A120S5C1	Global Power Technologies Group	IGBT MODULE 1200V 285A	6	подробности
GSID150A120S6A4	Global Power Technologies Group	SILICON IGBT MODULES	0	подробности
GSID150A120T2C1	Global Power Technologies Group	SILICON IGBT MODULES	0	подробности