GSID150A120S6A4

SILICON IGBT MODULES
GSID150A120S6A4 P1
GSID150A120S6A4 P1
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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

Global Power Technologies Group ~ GSID150A120S6A4

品番
GSID150A120S6A4
メーカー
Global Power Technologies Group
説明
SILICON IGBT MODULES
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
トランジスタ - IGBT - モジュール
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品番 GSID150A120S6A4
部品ステータス Active
IGBTタイプ -
構成 Single
電圧 - コレクタエミッタ破壊(最大) 1200V
電流 - コレクタ(Ic)(最大) 275A
電力 - 最大 1035W
Vce(on)(Max)@ Vge、Ic 1.9V @ 15V, 150A
電流 - コレクタ遮断(最大) 1mA
入力容量(Cies)@ Vce 20.2nF @ 25V
入力 Standard
NTCサーミスタ Yes
動作温度 -40°C ~ 150°C
取付タイプ Chassis Mount
パッケージ/ケース Module
サプライヤデバイスパッケージ Module

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