| номер части | 1N5819HW1-7-F |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип диода | Super Barrier |
| Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.) | 40V |
| Текущий - средний отрегулированный (Io) | 1A |
| Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если | 510mV @ 1A |
| скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Время обратного восстановления (trr) | 15ns |
| Текущий - обратный утечек @ Vr | 500µA @ 40V |
| Емкость @ Vr, F | 30pF @ 10V, 1MHz |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка / чехол | SOD-123F |
| Пакет устройств поставщика | SOD-123F |
| Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 125°C |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
1N5811 | Semtech Corporation | D MET 6A SFST 150V | - | 0 | подробности |
|
1N5811C.TR | Semtech Corporation | DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL | - | 0 | подробности |
 |
1N5811TR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL | - | 0 | подробности |
 |
1N5811US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 150V 3A B-MELF | - | 2233 | подробности |
|
1N5811US/TR | Microsemi Corporation | UFRFRR | - | 8967 | подробности |
 |
1N5812 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 50V 20A DO203AA | - | 4 | подробности |
|
1N5812R | Microsemi Corporation | RECTIFIER DIODE | - | 1493 | подробности |
|
1N5813 | Microsemi Corporation | RECTIFIER DIODE | - | 1493 | подробности |
|
1N5813R | Microsemi Corporation | RECTIFIER DIODE | - | 1493 | подробности |
 |
1N5814 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA | - | 76 | подробности |
|
1N5814R | Microsemi Corporation | RECTIFIER DIODE | - | 1493 | подробности |
|
1N5815 | Microsemi Corporation | RECTIFIER DIODE | - | 1493 | подробности |
