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| Numéro d'article | 1N5819HW1-7-F |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type de diode | Super Barrier |
| Tension - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V |
| Courant - Rectifié moyen (Io) | 1A |
| Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si | 510mV @ 1A |
| La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Temps de récupération inverse (trr) | 15ns |
| Courant - Fuite inverse @ Vr | 500µA @ 40V |
| Capacitance @ Vr, F | 30pF @ 10V, 1MHz |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | SOD-123F |
| Package de périphérique fournisseur | SOD-123F |
| Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 125°C |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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1N5811 | Semtech Corporation | D MET 6A SFST 150V | - | 0 | Détails |
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1N5811C.TR | Semtech Corporation | DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL | - | 0 | Détails |
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1N5811TR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL | - | 0 | Détails |
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1N5811US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 150V 3A B-MELF | - | 2233 | Détails |
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1N5811US/TR | Microsemi Corporation | UFRFRR | - | 8967 | Détails |
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1N5812 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 50V 20A DO203AA | - | 4 | Détails |
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1N5812R | Microsemi Corporation | RECTIFIER DIODE | - | 1493 | Détails |
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1N5813 | Microsemi Corporation | RECTIFIER DIODE | - | 1493 | Détails |
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1N5813R | Microsemi Corporation | RECTIFIER DIODE | - | 1493 | Détails |
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1N5814 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA | - | 76 | Détails |
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1N5814R | Microsemi Corporation | RECTIFIER DIODE | - | 1493 | Détails |
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1N5815 | Microsemi Corporation | RECTIFIER DIODE | - | 1493 | Détails |