| номер части | 1N4448HWT-7 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип диода | Standard |
| Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.) | 80V |
| Текущий - средний отрегулированный (Io) | 125mA |
| Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если | 1V @ 100mA |
| скорость | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Время обратного восстановления (trr) | 4ns |
| Текущий - обратный утечек @ Vr | 100nA @ 80V |
| Емкость @ Vr, F | 3pF @ 0.5V, 1MHz |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка / чехол | SC-79, SOD-523 |
| Пакет устройств поставщика | SOD-523 |
| Рабочая температура - Соединение | -65°C ~ 150°C |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
1N4436 | Microsemi Corporation | SINGLE PHASE BRIDGE RECTIFIER | - | 1183 | подробности |
|
1N4437_FT | Microsemi Corporation | BRIDGE RECT 1PHASE 400V TO-3 | - | 0 | подробности |
|
1N4444-1 | Microsemi Corporation | DIODE SWITCHING | - | 0 | подробности |
 |
1N4446 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35 | 0 | подробности | |
|
1N4446 BK | Central Semiconductor Corp | DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35 | 0 | подробности | |
|
1N4446 TR | Central Semiconductor Corp | DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35 | - | 0 | подробности |
 |
1N4446TR | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 | 0 | подробности | |
 |
1N4446_T50R | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 | 0 | подробности | |
 |
1N4447 | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V DO35 | - | 3195 | подробности |
 |
1N4447TR | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V DO35 | - | 0 | подробности |
 |
1N4448 | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 | - | 8637 | подробности |
|
1N4448 A0G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35 | - | 5133294 | подробности |
