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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | 1N4448HWT-7 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Dioden-Typ | Standard |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 80V |
| Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | 125mA |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1V @ 100mA |
| Geschwindigkeit | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | 4ns |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 100nA @ 80V |
| Kapazität @ Vr, F | 3pF @ 0.5V, 1MHz |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | SC-79, SOD-523 |
| Lieferantengerätepaket | SOD-523 |
| Betriebstemperatur - Kreuzung | -65°C ~ 150°C |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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1N4436 | Microsemi Corporation | SINGLE PHASE BRIDGE RECTIFIER | - | 1183 | Einzelheiten |
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1N4437_FT | Microsemi Corporation | BRIDGE RECT 1PHASE 400V TO-3 | - | 0 | Einzelheiten |
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1N4444-1 | Microsemi Corporation | DIODE SWITCHING | - | 0 | Einzelheiten |
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1N4446 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35 | 0 | Einzelheiten | |
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1N4446 BK | Central Semiconductor Corp | DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35 | 0 | Einzelheiten | |
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1N4446 TR | Central Semiconductor Corp | DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35 | - | 0 | Einzelheiten |
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1N4446TR | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 | 0 | Einzelheiten | |
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1N4446_T50R | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 | 0 | Einzelheiten | |
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1N4447 | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V DO35 | - | 3195 | Einzelheiten |
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1N4447TR | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V DO35 | - | 0 | Einzelheiten |
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1N4448 | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 | - | 8637 | Einzelheiten |
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1N4448 A0G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35 | - | 5133294 | Einzelheiten |